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半導體所舉行“紀念王守武院士誕辰100周年”座談會

文章來源:半導體研究所   發布時間:2019-03-15  【字號:     】  

  3月15日上午,中國科學院半導體研究所舉行座談會,紀念我國著名半導體器件物理學家、微電子學家、中國半導體科學技術的開拓者與奠基人之一、中國科學院院士王守武誕辰100周年。半導體所黨委書記、副所長馮仁國以及王守武的學生、同事和朋友20余人參加了此次座談會。

  王守武,1919年3月生于江蘇。1941年王守武畢業于上海同濟大學,1945年赴美留學,1949年獲美國普渡大學博士研究生學位,1950年回國后先后任中科院應用物理研究所半導體研究室室主任、中科院半導體所副所長、中科院109廠廠長和中科院微電子中心名譽主任等職。1958年籌建了我國第一個晶體管工廠。1963年起致力于砷化鎵激光器的研究工作,創造了簡易的光學定晶向的方法,促進了我國第一個砷化鎵激光器的研制成功。1973年起,在領導研究砷化鎵中高場疇的動力學以及PNPN負阻激光器的瞬態和光電特性的過程中,提出了一些很有創見的學術觀點。1978年帶領科技人員進行提高大規模集成電路芯片成品率的研究,解決了一系列技術難題,使我國大規模集成電路芯片的成品率有顯著提高,成本大為降低。1979年獲全國勞動模范稱號,1980年當選為中科院院士(學部委員)。先后獲中科院科研成果一等獎、中科院科技進步獎二等獎和國家科技進步獎二等獎等。

  馮仁國首先介紹了王守武“永爭第一”的鉆研精神、獻身祖國的高尚情操和寬厚待人、嚴于律己的人生信念,號召年輕一代科技工作者要學習王守武勇攀科技高峰、立足國家需求的科技報國精神,理論、技術和實踐三方面并重的工匠精神。

  座談會上,研究員余金中、牛智川等與會人員紛紛發言,盛贊王守武為我國科技事業、特別是半導體事業做出的卓越貢獻,感懷他兼容并包、海納百川的胸懷,嚴謹求實、一絲不茍的治學態度和甘為人梯、提攜后進的無私奉獻精神。

 

座談會現場




(責任編輯:葉瑞優)

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